硅磚是主要由鱗石英、方石英以及少量殘余石英和玻璃相組成的酸陛耐火材料，對酸陛爐渣抵抗能力強，但會被堿性渣侵蝕，不耐Al2O3、K2O、Na2O等氧化物侵蝕，它的荷重軟化溫度高，介于1640～1680℃之間，與鱗石英、方石英熔點(分別為1670℃和1713℃)接近，最大的缺點是熱震穩(wěn)定性低，但耐火度與荷重軟化溫度相近，在高溫下長期使用不變形，有利于保證砌筑體在使用時的結構強度。

　　硅磚主要用于煉焦爐的炭化室和燃燒室的隔墻，均熱爐、熱風爐、酸性平爐和玻璃窯爐的爐頂或拱頂?shù)炔课弧，F(xiàn)今在煉鐵技術方面，直接還原與融熔還原煉鐵新技術正在逐步轉化為生產力，而在煉焦工業(yè)，已研制出一種不用焦爐生產的“成型焦炭”，可以替代一部分傳統(tǒng)焦炭。隨著這些新技術的推廣，硅磚的需要量將逐步減少。然而，在國內外玻璃窯上，硅磚除了在蓄熱室格子體和部分胸墻部位被其它磚替代外，在熔窯碹頂，硅磚仍保持其優(yōu)勢地位。

　　硅磚同大多數(shù)燒結耐火磚一樣均采用半干法生產制品、隧道窯燒成，它在生產過程中出現(xiàn)裂紋是導致其廢品率提高的主要原因之一。本文對硅磚成品的裂紋類型和成因進行分析，說明通過嚴格控制硅磚生產主要的機壓成型和燒成工藝環(huán)節(jié)，能減少硅磚裂紋形成，并顯著提高產品質量。此經(jīng)驗對其它燒結耐火材料的生產也有借鑒作用。

　　硅磚裂紋的類型

　　硅磚制品的裂紋可分為表面裂紋和內部裂紋，后者也稱為層裂。表面裂紋又分為橫向裂紋、縱向裂紋和網(wǎng)狀裂紋。硅磚是采用半干料機壓成型方法制備致密坯體的，沿磚坯加壓方向產生的裂紋為橫向裂紋，垂直于磚坯的加壓方向產生的裂紋為豎向裂紋，而硅磚制品表面由數(shù)條裂紋組成的，呈蛛網(wǎng)狀分布的裂紋，即網(wǎng)狀裂紋，參見圖1。

　　圖1  硅磚表面裂紋類型

　　通常，就一塊標準型硅磚而言，其坯體加壓方向一般為厚度方向。硅磚制品的成型過程，實質上是一個使坯料內顆粒密集和空氣排出、形成致密坯體的過程。磚坯經(jīng)機壓成型后，具有密度高、強度大、干燥收縮和燒成收縮小、制品尺寸容易控制等優(yōu)點。但是，當機壓成型工藝控制不當，坯體在加壓過程中會形成的垂直于加壓方向的層狀裂縫，因此，硅磚內部的層狀裂縫或者簡稱層裂，亦是縱向裂紋。

　　大的層裂在磚坯剛成型，或磚坯干燥后就可檢測出來。但磚坯中微小層裂，只有在硅磚燒成過程中隨熱應力的作用繼續(xù)擴展，才能在燒后明顯地被檢測出來。含有裂紋缺陷尤其是層裂的硅磚容易發(fā)生斷裂，既不能使用，又降低了硅磚制品的成品率。

　　硅磚裂紋形成和預防的主要措施

　　機壓成型

　　硅磚的層裂主要由于機壓成型工藝控制不當造成，所以有時也稱之為機壓裂紋。硅磚的坯料和磚坯，都是由固體、水或其它結合劑和空氣三相物質共同組成的。在整個機壓成型或稱為模壓成型過程中，固相和液相量沒有改變，而坯料中空氣的數(shù)量則由于壓力的作用被壓縮和減少，被壓縮的坯料容積亦相應減少。模壓成型過程大致可分為以下三階段。

　　第一階段，在壓力的作用下，坯料中的顆粒開始移動，重新配置成較緊密堆積。該過程的特點是壓縮明顯。當壓力增至某一數(shù)值后，進入第二階段。

　　第二階段，顆粒發(fā)生脆性及彈性變形，坯料被壓縮到一定程度后，即阻礙進一步壓縮。當壓力增加，達到使顆粒再度發(fā)生變形的外力時，引起坯料的再壓縮，坯體致密度隨之增加。這個階段是壓縮及增壓變得短促而頻繁的階段。

　　第三階段，在極限壓力下，坯料的相對致密度基本穩(wěn)定，難以提高。磚坯的模壓成型結束。在模壓成型過程中，必須將彈性后效所造成的坯體滯后膨脹量控制為2%以下，否則往往在壓制過程中直接造成廢品。如果沿磚坯加壓方向坯體形成“層密度”，密度差大于2%，磚坯內部就容易產生層狀裂紋的缺陷，使得磚坯在燒成過程中熱膨脹不均而產生較大的熱應力，形成平行于密度層的縱向裂紋以致報廢。

　　壓制硅磚時宜用長徑比小的短模，不宜采用長徑比大的高模，來提高坯體內壓力分布的均勻性。同時，采取向坯料中引入某些塑化劑及表面活性劑，降低坯料內摩擦，減少壓力傳遞損失;提高模具的光潔度或對模子涂油，降低坯料外摩擦;采用雙面壓制，降低坯體L/D比值;采用多次加壓，先輕后重方式，避免磚坯內壓力不致積蓄過大及消除彈性后效等技術措施，提高磚坯內部壓力與密度的均勻性。從而，避免硅磚坯體中距受壓面近的地方密度大，距受壓面遠的地方密度小，以減少層密度形成導致裂紋缺陷的產生。

　　此外，硅磚坯料是由骨料、熟料、球磨粉、礦化劑、亞硫酸紙漿廢液及增塑劑經(jīng)混練制備而成，改善坯料的捏練工藝，也有助于提高磚坯的密度。從物體混合技術而言，使物料同相之間發(fā)生移動叫混合，異相之間的移動叫攪拌，而將高黏度液體與固體相互混合的操作叫捏練(捏合與混練)。通過合理捏練，可以完成細粉對大顆粒的包覆，有效排除氣體，提高坯料致密化程度，從而降低磚坯氣孔率。

　　硅磚的燒結實際上是SiO2的同質多晶轉變過程，硅石原料在礦化劑作用下，經(jīng)緩慢燒成，基本上轉化為鱗石英、方石英，僅有少量殘余石英。硅磚在使用中加熱到1450℃時有1.5%～2.2%的總體積膨脹，這種殘余膨脹會使砌縫密合，有利于保證硅磚砌筑體呈現(xiàn)良好的緊密性和結構強度。而且這種SiO2的同質多晶轉變，決定了烤窯前期階段耐火材料監(jiān)控的重點是硅磚，升溫速率以慢速均勻為特征。硅磚在150～300℃溫度范圍內，由于其中β、α-方石英的晶型轉變伴隨較大的體積效應，在烤窯時應特別注意在此溫度范圍內進行緩慢升溫。

　　石英轉變?yōu)轺[石英的轉化速度和程度，不僅與溫度的高低和礦化劑的存在有關，而且也與溫度的作用時間、原料的顆粒大小、轉化相結晶大小等因素有關。溫度高、高溫作用時間長、顆粒小、結晶小、礦化劑作用強，則轉化快，反之則慢。硅磚的主晶相為鱗石英和方石英，鱗石英熔點1670℃，具有較高的體積穩(wěn)定性。如果硅磚中鱗石英呈矛頭狀雙晶形態(tài)相互交錯為網(wǎng)絡狀分布，能夠使硅磚具有較高的荷重軟化點及機械強度。當硅磚中殘余石英較多時，由于在使用中它會繼續(xù)進行晶型轉變，體積膨脹較大，會導致磚體結構松散開裂。硅磚在燒成過程中發(fā)生的物理一化學變化可歸納如下：

　　①<150℃排除磚坯的殘余水分。

　　②450—550℃時Ca(OH)2開始分解，550℃分解完畢，此時硅磚顆粒之間的結合由于CaO等作用而破壞，強度下降，坯體變脆。

　　③550～650℃時，β一石英磚轉化為一石英，體積膨脹。

　　④600～700℃時，CaO與SiO2之間發(fā)生固相反應，坯體強度提高。

　　⑤800～1100℃時，磚坯出現(xiàn)液相反應，坯體強度迅速增加。從1100℃開始，石英的轉化速度大為增加，這時低比重石英變體，產生較大體積膨脹。

　　⑥1300～1350℃時，由于鱗石英和方石英數(shù)量增加，坯體真比重降低，同時體積膨脹加大有可能導致開裂。

　　⑦1350～1470℃時，石英的轉化程度和由此產生的膨脹很大，僅一石英、亞穩(wěn)定方石英和礦化劑及雜質等相互作用形成液相，并侵入石英顆粒在形成亞穩(wěn)定方石英時出現(xiàn)裂紋中，促進了一石英和亞穩(wěn)定方石英不斷地熔解于所形成的液相中，使之成為硅氧的過飽和熔液，然后以穩(wěn)定的鱗石英形態(tài)不斷地從熔液中結晶出來。此時液相粘度愈大，硅磚轉化速度愈快，磚坯產生裂紋可能性愈大。

　　因此，為防止硅磚在燒成過程中發(fā)生晶型變化，伴隨較大的體積變化導致裂紋的形成，必須采取以下工藝措施：

　　要控制燒成不同溫度范圍的升溫速率。小于600℃升溫速率放慢，600～1000℃時升溫速率可加快，1100～1300℃時升溫速率應緩慢，1300℃~燒成溫度(1430℃至1450℃)時，升溫速率應是燒成過程中最慢的。燒成后的硅磚冷卻時在600℃以下，特別在300℃時應緩慢。這樣可以有效緩沖晶型轉變的體積變化，使其鱗石英及方石英含量較高，并避免裂紋的形成。

　　應在高溫燒成階段采用還原氣氛，有利于低價氧化鐵的礦化作用和促進鱗石英大量生成。否則，在氧化氣氛下尤其礦化劑不足時，α-石英大多數(shù)轉化為α-方石英，這種轉變稱為“干轉化”。在干轉化時，由于磚體不均勻的體積膨脹很大，而又無液相緩沖應力，會導致制品結構松散和開裂。同時，應在硅磚燒成的不同溫度階段進行適當保溫，使硅磚具有合理相組成，滿足使用要求。

　　改善半成品裝車制度，降低裂紋發(fā)生的概率。硅磚的橫向裂紋，即平行于制品的加壓方向裂紋(圖1)，通常為制品燒成時各部分受熱不均所致，它們多出現(xiàn)在磚垛外側的受火面，特別是頂層的制品表面。而硅磚表面網(wǎng)狀裂紋，除了由于捏練不勻或原料變化，使得坯體本身微觀不均勻的起因外，通常是由于制品受熱溫度過高且起伏較大所致。在裝車時，需要將特異型硅磚放置于窯車的內部，標準普通型磚裝在窯車的外部;異型磚的凸出部位或易出現(xiàn)裂紋的部位向里;窯車頂部要覆蓋一些薄片磚，以避免火焰的直接沖擊等措施，否則將會導致裂紋增多。

　　結  語

　　裂紋是影響硅成品率及性能的主要因素之一，抓住機壓成型和燒成工藝是避免硅磚裂紋形成的關鍵。硅石原料的理論和實際轉化情況有所不同，需根據(jù)原料、磚型種類等變化實時地調整其燒成制度。硅磚坯料的制備和質量是重要的，甚至是關鍵的因素，只有嚴格控制好每一道工藝環(huán)節(jié)，方能高效低耗地產生性能良好的硅磚產品。